Die p-Leitung ist eine Form der Störstellenleitung, die auf der gerichteten Bewegung von Defektelektronen (Löchern) beruht. Sie wird durch Dotieren von Silicium (4-wertig) mit 3-wertigen Atomen (z.B. Bor) erreicht, die über drei Außenelektronen verfügen. Werden diese Atome in das Halbleitergitter eingefügt, dann verbleibt an der Einbindungsstelle im Kristallgitter ein freier Elektronenplatz, der als Defektelektron (Loch) für Leitungsvorgänge zur Verfügung steht (Bild 1).
Wenn man von p-Leitung spricht, dann meint man, dass von Fremdatomen herrührende Defektelektronen zum überwiegenden Teil den Leitungsprozess im Halbleiter bewirken. Diese Defektelektronen bilden die so genannten Majoritätsträger, die gegenüber den bei Eigenleitung vorhanden Minoritätsträgern in deutlicher Überzahl vorhanden sind. Natürlich kommt zur p-Leitung stets die Eigenleitung des Grundmaterials hinzu.
Die durch Dotieren p-leitend gemachten Halbleiter sind nach außen elektrisch neutral, da man ja auch elektrisch neutrale Atome in das Halbleitermaterial eingebracht hat, insgesamt also kein Überschuss an Ladungsträgern erzeugt wurde. Genutzt werden p-Halbleiter als Bestandteil elektronischer Bauelemente, z.B. von Halbleiterdioden oder Transistoren.
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Stand: 2010
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